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本发明公开了一种SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法,该方法包括步骤:S1在S0I衬底的表面硅层上制作微纳结构器件图形:S2利用选择性腐蚀液必除表面硅愿图形下方的二氧化砖,形成空气桥图移结构:S3在所述形成空气桥图形结构的SO1村底上.利用外延生长法形成器件材料,不发明的方法通过形成空气拆结构级解
』表面在要与化合物半导体材科之问的品格失配A热失配,从而生长出高项量的化合物半导体
M料:通过预先在S0I社底上制作出器作图形,然雷在形衬限直接外延生长出半导体盘什。汇
附制作工2
一次总付方式,在合同生效后 15 日内一次性全额支付所有使用费 20万 元
专利转让流程
顾问确认选择专利的交易价格和法定状态。
对确定的专利支付相应款项并签订专利代购协议书。
协助卖家办理专利转让公证,专利公证一般在3-5个工作日完成。
顾问将专利相关资料交付买家,并将双方签字的相关资料递送国知局。
顾问持续跟进专利的过户,直至专利过户完成,国知局下发文件。
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